9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的DN2535N3-G-P003，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DN2535N3-G-P003参考价格为1.03000美元。Microchip Technology DN2535N3-G-P003封装/规格：MOSFET N-CH 350V 120MA TO92。您可以下载DN2535N3-G-P003英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DN2535N3-G-P013是MOSFET N沟道MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92，包括弹药包封装，设计用于0.016000 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Id连续漏极电流为120 mA，器件提供350 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有25欧姆的漏极-漏极电阻，晶体管极性为N沟道。
DN2535N3-G P014，带用户指南，包括350 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.016000盎司单位重量下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该晶体管提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及25欧姆Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-92-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型通孔，Id连续漏电流为120 mA。
DN2535N3-G-P003，带电路图，包括120 mA Id连续漏极电流，设计用于通孔安装型，数据表注释中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供to-92-3等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及25欧姆Rds漏极源电阻，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为350 V。
DN2535N3-G P005，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，设计用于通孔安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，具有卷轴、晶体管极性等封装特性，设计用于N通道，以及453600 mg单位重量，该器件也可以用作350V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Rds漏极源极电阻为25欧姆，该器件提供120 mA Id连续漏极电流，该器件具有1个晶体管型N沟道，沟道数为1沟道。
