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STW21N150K5，带针脚细节，包括MDmesh？K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为446W，漏极到源极电压Vdss为1500V（1.5kV），输入电容Cis-Vds为3145pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为900 mOhm@7A，10V，Vgs最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为89nC@10V，Pd功耗为446 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为1.5kV，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V至5V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为134ns，典型接通延迟时间为34ns，Qg栅极电荷为89nC，信道模式为增强。
STW20NM60是MOSFET N-CH 600V 20A TO-247，包括5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于与TO-247-3供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于MDmesh？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如290 mOhm@10A，10V，Power Max设计用于192W，以及管封装，该器件也可以用作to-247-3封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1500pF@25V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为54nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为600V，25°C的电流连续漏极Id为20A（Tc）。
STW20NM60FD是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 20A TO-247。STW20MM60FD可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 20A TO-247、N通道600V 20A（Tc）214W（Tc。
