特色
- 低导通电阻
- 高功率封装（HSOP8）
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 无卤素
- 100%Rg和UIS测试
RS1E200GNTB
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta), 25.1W (Tc) 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.57703 | 5.57703 |
| 10+ | 4.91792 | 49.17929 |
| 100+ | 3.76920 | 376.92050 |
| 500+ | 2.97972 | 1489.86450 |
| 1000+ | 2.38378 | 2383.78300 |
| 2500+ | 2.16026 | 5400.66750 |
| 5000+ | 2.03163 | 10158.16500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.57703
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.58
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 供应商设备包装 8-HSOP
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16.8 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 4.6毫欧姆 @ 20A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1080 pF@15 V
- 最大功耗 3W (Ta), 25.1W (Tc)
RS1E200GNTB 产品详情
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
RS1E200GNTB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RS1N | 艾沛克斯 (Apex) | SHEAR,RUG,OFFSET HDL,SHARP PT | ¥322.88848 |
| RS1003 | 西屋电气 (Westinghouse) | RS1003 | ¥1,096.57506 |
| RS12-BA21 | 广赖 (Hirose) | SWITCH | ¥0.24843 |
| RS1A-CF11 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥1.15758 |
| RS1B-BB55 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥0.26942 |
| RS1A-CF99 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥0.37315 |
| RS1A-CA11 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥0.26654 |
| RS1A-DD11 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥1.98745 |
| RS1A-BB55 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥0.50702 |
| RS1B-CB11 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥1.14439 |
RS1E200GNTB所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RS1E200GNTB 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RS1E200GNTB价格参考￥5.577033，你可以下载 RS1E200GNTB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RS1E200GNTB规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
