9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7119DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7119DN-T1-GE3参考价格为1.05000美元。Vishay Siliconix SI7119DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8。您可以下载SI7119DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7119DN-T1-E3是MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7119DNV-E3中使用的零件别名，该SI7119DN-E3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为666pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.05 Ohm@1A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V，Pd功耗为3.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为16 ns 12 ns，上升时间为16ns 11ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.2A，Vds漏极-源极击穿电压为-200V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.05欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25ns 27ns，典型导通延迟时间为16ns9ns，沟道模式为增强型。
SI7117DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-150V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表中显示了用于1 P沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计用于Si，以及SI71xxDx系列，该器件也可以用作1.2欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为3.2 W，该器件采用SI7117DN-GE3零件别名，该器件具有一个包装卷，包装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为1.1A，并且配置为单一。
SI7118DN，带有VISHAY制造的电路图。SI7118DN采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
