9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4459BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4459BDY-T1-GE3参考价格为1.23000美元。Vishay Siliconix SI4459BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO。您可以下载SI4459BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4459ADY-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4459ADY-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为7.8W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为6000pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为29A（Tc），最大Id Vgs的Rds为5mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为195nC@10V，Pd功耗为7.8W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为16ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为19.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为5mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为16s，Qg栅极电荷为61nC，并且前向跨导Min为24S，并且信道模式为增强。
SI4459A，带有VISHAY制造的用户指南。SI4459A在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI4459ADY，带有SI制造的电路图。SI4459ADY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI4459ADY-T1-G3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4459ADY-T1-G3采用SMD8封装，是IC芯片的一部分。
