9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN1R8-30MLHX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN1R8-30MLHX参考价格为1.70000美元。Nexperia USA Inc.PSMN1R8-30MLHX封装/规格：MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33。您可以下载PSMN1R8-30MLHX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN1R6-40YLC:115是MOSFET N沟道40 V 1.55 mo FET，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于LFPAK-4，提供Si等技术特性，信道数设计为在1个信道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为288 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为48 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.46V，Rds漏极-源极电阻为1.45mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为59nC，沟道模式为增强。
PSMN1R7-60BS，118是MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于D2PAK供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于2 mOhm@25A，10V，提供功率最大功能，如306W，封装设计用于Digi-ReelR交替封装，以及to-263-3，D2PAK（2引线+标签），TO-263AB包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供9997pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有137nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为120A（Tc）。
带有NXP制造的电路图的PSMN1R7。PSMN1R7在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN1R7-30YL，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN1R7-30YL在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
