9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR826LDP-T1-RE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR826LDP-T1-RE3参考价格为1.71000美元。Vishay Siliconix SIR826LDP-T1-RE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK。您可以下载SIR826LDP-T1-RE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR808DP-T1-GE3是MOSFET 25伏20安培29.8瓦，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR808DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装外壳，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为29.8W，下降时间为7ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，并且Rds导通漏极-源极电阻为7.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为15.2nC，正向跨导Min为36S。
SIR818DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SIRxxxDP系列，该器件具有15 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为2.3 mOhms，Qg栅极电荷为63 nC，Pd功耗为69 W，零件别名为SIR818DP-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，并且Id连续漏极电流是50A，并且正向跨导Min是104S，并且下降时间是10ns，并且配置是单一的。
SIR820DP-T1-GE3是MOSFET N沟道30-V（D-S），包括1个沟道数量的沟道，它们设计用于卷盘封装。数据表中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，晶体管类型设计用于1个N沟道。
SIR818DP，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR818DP在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
