9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7460DP-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7460DP-T1-GE3价格参考2.30000美元。Vishay Siliconix SI7460DP-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8。您可以下载SI7460DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si7460DP-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8,包括SI74xxDx系列,它们设计用于卷盘封装,数据表注释中显示了用于Si7460DP-T1的零件别名,该Si7460DP T1提供单位重量功能,例如0.017870盎司,安装样式设计用于SMD/SMT以及SO-8封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为5.4W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为30 ns,上升时间为16 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为18A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds导通漏极-漏极电阻为9.6mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为75ns,典型接通延迟时间为20ns,正向跨导最小值为60S,沟道模式为增强。
SI7459DY,带有VISHAY制造的用户指南。SI7459DY采用SOP8封装,是IC芯片的一部分。
si7460,电路图由VISHAY制造。si7460采用QFN封装,是IC芯片的一部分。