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STL210N4LF7AG
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STL210N4LF7AG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 19.77311 19.77311
10+ 17.76683 177.66834
100+ 14.28010 1428.01020
500+ 11.73262 5866.31450
1000+ 10.66603 10666.03900
3000+ 10.66611 31998.33600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥15.78952
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.77
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 56 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 最大功耗 150W(Tc)
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.6毫欧姆@30A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4210 pF @ 25 V

STL210N4LF7AG 产品详情

该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM2快速恢复二极管系列的一部分。它提供了非常低的恢复电荷(Qrr)和时间(trr)以及低RDS(开启),使其适用于要求最高的高效转换器,并非常适合桥式拓扑和ZVS移相转换器。

特色

  • 快速恢复体二极管
  • 极低栅极电荷和输入电容
  • 低通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 极高的dv/d耐用性
  • 齐纳保护
STL210N4LF7AG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STL210N4LF7AG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL210N4LF7AG价格参考¥15.789522,你可以下载 STL210N4LF7AG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL210N4LF7AG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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