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SI3134KEA-TP
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SI3134KEA-TP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 最大功耗: 180毫瓦 供应商设备包装: SOT-523 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微型商业组件 (Micro)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.25930 3.25930
10+ 2.41912 24.19129
100+ 1.37180 137.18050
500+ 0.90826 454.13000
1000+ 0.69633 696.33200
3000+ 0.60550 1816.51800
6000+ 0.54495 3269.73600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.25931
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.26
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 制造厂商 微型商业组件 (Micro)
  • 供应商设备包装 SOT-523
  • 包装/外壳 SOT-523
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 750毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 500毫安, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 33 pF @ 16 V
  • 最大功耗 180毫瓦

SI3134KEA-TP 产品详情

SI3134KEA-TP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI3134KEA-TP 由 微型商业组件 (Micro) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI3134KEA-TP价格参考¥3.259305,你可以下载 SI3134KEA-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI3134KEA-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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