STLD200N4F6AG

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Tc）
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 包装/外壳 8-PowerWDFN
• 漏源电压标 (Vdss) 40伏
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
• 最大功耗 158W（Tc）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 172 nC @ 10 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6.5V, 10V
• 导通电阻 Rds(ON) 1.5毫欧姆@75A，10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10700 pF@10 V
• 供应商设备包装 PowerFlat（5x6）双面