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TSM2N7002KCU

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240毫安(Ta) 最大功耗: 298mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.25930 3.25930
10+ 2.44810 24.48100
100+ 1.38556 138.55670
500+ 0.91782 458.91000
1000+ 0.70364 703.64800
3000+ 0.61188 1835.64000
6000+ 0.55067 3304.06800
  • 库存: 1
  • 单价: ¥3.25931
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.26
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 最大功耗 298mW(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-323
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 240毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.5欧姆@240毫安,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 30 pF @ 30 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.91 nC @ 4.5 V

TSM2N7002KCU 产品详情

TSM2N7002KCU所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TSM2N7002KCU 由 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TSM2N7002KCU价格参考¥3.259305,你可以下载 TSM2N7002KCU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TSM2N7002KCU规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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