STS10N3LH5

规格参数

• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 部件状态 不适用于新设计
• 供应商设备包装 8-SOIC
• 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Tc）
• 最大功耗 2.5W（Tc）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±22V
• 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@5A，10V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.6 nC @ 5 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 475 pF @ 25 V