9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y59-60EX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y59-60EX价格参考0.78000美元。Nexperia USA Inc.BUK7Y59-60EX封装/规格：MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK56。您可以下载BUK7Y59-60EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BUK7Y4R4-40EX带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计为与BUK7Y 4R4-40E115零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供147 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为18纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为39nC，沟道模式为增强。
BUK7Y4R8-60EX，带有用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为57 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为2.9 mOhms，Qg栅极电荷为73.1 nC，Pd功耗为238 W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为100 A，下降时间为31 ns，配置为三重共源。
BUK7Y53-100B，带有NXP制造的电路图。BUK7Y53-100B在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
