IRF510

IRF510数据表1999年11月文件号1573.4 5.6A，100V，0.540 Ohm，N沟道功率MOSFET该N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET，经过设计、测试和保证，能够在击穿雪崩操作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET都设计用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极开关晶体管的驱动器等应用。这些类型可以直接从集成电路操作。以前的开发型TA1744
1.特征•5.6A，100V•rDS（ON）=0.540Ω • 单脉冲雪崩额定能量•SOA功耗有限•纳秒开关速度•线性传输特性•高输入阻抗•相关文献–TB334“将表面安装组件焊接到PC板的指南”订购信息零件号IRF510包装to-220AB品牌IRF510符号D注：订购时，包括整个零件号。G S包装JEDEC TO-220AB源排放门排放（法兰）1注意：这些设备对静电放电敏感；遵循适当的ESD处理程序。1-888-INTERSIL或321-724-7143 |版权所有©INTERSIL Corporation 1999 IRF510绝对最大额定值TC=25oC，除非另有规定IRF510 100 100 5.6 4 20±20 43 0.29 19-55至175 300 260 UNITS V V A A V W W/oC mJ oC oC oC漏极至源极电压（注1）。VDS漏极至栅极电压（RGS=20kΩ) （注1）。VDGR连续漏极电流。ID TC=100oC ID脉冲漏电流（注3）。IDM门到源电压VGS最大功耗。PD线性降额因数单脉冲雪崩额定能量（注4）。EAS工作和存储温度范围。TJ，TSTG最大温度[…]