Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRL8113PBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 最大功耗 110W(Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 105A(Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2840 pF@15 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.25V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 21A, 10V
IRL8113PBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 30V,英飞凌
IRL8113PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRL8113PBF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRL8113PBF价格参考¥2.390157,你可以下载 IRL8113PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRL8113PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...