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CSD17578Q3AT是MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET，包括CSD17578Q4A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装外壳设计用于VSONP-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有37 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为1 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为2ns，Qg栅极电荷为7.9nC，正向跨导Min为48S。
CSD17577Q5AT是MOSFET 30V NCH NexFET，包括1.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间特性，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17577Q5系列，上升时间为12ns，漏极源极电阻Rds为4.8mOhms，Qg栅极电荷为27nC，Pd功耗为53W，封装为卷轴，封装外壳为VSONP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+85℃，Id连续漏电流为22 A，下降时间为2 ns，配置为单一。
CSD17578Q3A是MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP，包括卷筒包装，它们设计用于CSD17578Q1A系列，技术如数据表注释所示，用于Si，提供NexFET等商标功能。
