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SI3139KE-TP

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 660毫安 (Tj) 最大功耗: 150mW 供应商设备包装: SOT-523 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微型商业组件 (Micro)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.21946 0.21946
100+ 0.20135 20.13530
1000+ 0.18324 183.24500
  • 库存: 4700
  • 单价: ¥0.21946
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.22
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 制造厂商 微型商业组件 (Micro)
  • 供应商设备包装 SOT-523
  • 包装/外壳 SOT-523
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 170 pF@6 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 700毫欧姆 @ 600毫安, 4.5V
  • 最大功耗 150mW
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 660毫安 (Tj)

SI3139KE-TP 产品详情

SI3139KE-TP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI3139KE-TP 由 微型商业组件 (Micro) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI3139KE-TP价格参考¥0.219460,你可以下载 SI3139KE-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI3139KE-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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