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PSMN8R5-60YS，115是MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作106W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供2370pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为76A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8 mOhm@15A、10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为39nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN8R5-60YS。PSMN8R5-60YS采用SOT-669封装，是FET的一部分-单个。
带有NXP制造的电路图的PSMN8R7。PSMN8R7在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN8R7-80PS是NXP制造的MOSFET N-CH 80V TO220AB。PSMN8R7-80PS在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V TO220AB。
