9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16327Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16327第三季度参考价格为1.22000美元。德州仪器CSD16327Q3封装/规格：MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON。您可以下载CSD16327Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如CSD16327Q3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD16323Q3C是MOSFET N-CH 25V 60A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SON暴露焊盘（3x3），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为2 N通道，漏极到源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为1300pF@12.5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为21A（Ta），60A（Tc），Rds On最大Id Vgs为4.5 mOhm@24A，8V，Vgs th最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.4nC@4.5V，Pd功耗为3 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs第h栅极-源极端电压为1.1 V，Rds漏极源极电阻为5.5 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为6.2 nC，并且正向跨导Min为108S。
CSD16325Q5C是MOSFET DualCool N沟道NexFET功率MOSFET，包括1.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为32 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD16325Q5C系列，上升时间为16ns，漏极-源极电阻Rds为1.7mOhms，Qg栅极电荷为18nC，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴式，封装外壳为VSON-Clip-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为33 A，正向跨导最小值为159 S，下降时间为12 ns，配置为单一。
CSD16325Q5是MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON，包括单一配置，它们设计为在12 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了159 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流特性，如33 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-Clip-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.1W，Qg栅极电荷为18nC，Rds漏极源极电阻为2.2mOhm，上升时间为16ns，系列为CSD16325Q5，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为10.5ns，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅源极电压为10V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V。
