特色
- 低RDS（打开）
- 改善传导损耗
- 快速切换
- 开关损耗改善
- 符合RoHS
应用
- 负载开关
- 直流电机控制
- DC-DC转换
NTTFS5D9N08HTWG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、84A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 16.44138 | 16.44138 |
| 10+ | 14.75378 | 147.53787 |
| 100+ | 11.85735 | 1185.73520 |
| 500+ | 9.74170 | 4870.85050 |
| 1000+ | 8.85603 | 8856.03900 |
| 3000+ | 8.85611 | 26568.33300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥16.44138
-
数量:
- +
- 总计: ¥16.44
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 8-PQFN (3.3x3.3)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 120A
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13A（Ta）、84A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 5.9毫欧姆 @ 23A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2040 pF@40 V
- 最大功耗 2.7W（Ta）、100W（Tc）
- 材质 钢
NTTFS5D9N08HTWG 产品详情
功率MOSFET−60 V，−20 A，52 mΩ
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| NTT501ADNLT | NTT501ADNLT | ¥0.00 | |
| NTT501ADNL | NTT501ADNL | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-C | Ciena NTTP81DA Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTTP07FFE6-I-C | Ciena NTTP07FFE6-I Compatible TA | ¥0.00 | |
| NTTP84AAE6-C | Ciena NTTP84AAE6 Compatible TAA | ¥0.00 | |
| NTTP58BD-C | Ciena NTTP58BD Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP51BD-IO | SFP 1G LX CIENA | ¥0.00 | |
| NTTP84HH-C | Ciena NTTP84HH Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-IO | XFP 10G ER CIENA | ¥0.00 |
NTTFS5D9N08HTWG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTTFS5D9N08HTWG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTTFS5D9N08HTWG价格参考￥16.441383，你可以下载 NTTFS5D9N08HTWG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTTFS5D9N08HTWG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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