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PSMN2R1-40PLQ是MOSFET N沟道MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为293 W，器件的下降时间为92 ns，器件的上升时间为96 ns，Id连续漏极电流为150 a，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.45 V，Rds漏极源极电阻为4.1 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为151ns，典型接通延迟时间为56ns，Qg栅极电荷为168.9nC。
带有用户指南的PSMN2R1-60CSJ，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、通道数等封装功能，设计为在1个通道中工作。
PSMN2R1-40PL是NXP制造的MOSFET N-CH 40V 150A TO-220。PSMN2R1-40PL在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 150A TO-220。
PSMN2R2-25YLC，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN2R2-25YLC在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
