9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFI830GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFI830GPBF价格参考1.88000美元。Vishay Siliconix IRFI830GPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3。您可以下载IRFI830GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFI830GPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFI820GPBF是MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供30 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为8.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为2.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为24nC，正向跨导最小值为1.5S，沟道模式为增强。
IRFI830G是MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16 ns，器件的漏极-源极电阻为1.5欧姆，Pd功耗为35 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.1A，下降时间为16ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFI820G是MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了16 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流功能，如2.1 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为30W，Rds漏极-源极电阻为3欧姆，上升时间为8.6ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为8ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
