9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF630PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF630PBF-BE3价格参考1.60000美元。Vishay Siliconix IRF630PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB。您可以下载IRF630PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRF630PBF-BE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF630NSTRRPBF是MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供82 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为9.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为300mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为7.9ns，Qg栅极电荷为23.3nC，正向跨导最小值为4.9S，并且信道模式是增强。
IRF630NSTRPBF和IR制造的用户指南。IRF630INSTRPBF以TO-263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
IRF630NSTRR是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK。IRF630INSTRR可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 9.3B D2PAK、N沟道200V 9.3C（Tc）82W（Tc）表面安装D2PAK。
