9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP26M7UFG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP26M7UFG-7参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated DMP26M7UFG-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333。您可以下载DMP26M7UFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP25H18DLFDE-7带有引脚细节，包括DMP25系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如U-DFN2020-6，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可用于单四漏双源配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1.4 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为95 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为40 V，Id连续漏极电流为-260 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-250V，Vgs栅极-源极阈值电压为-500mV，Rds导通漏极-漏极电阻为10欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为124ns，典型接通延迟时间为7.5ns，Qg栅极电荷为2.8nC，沟道模式为增强。
DMP2540UCB9-7是MOSFET P-Ch Enh模式FET 40mOhm-25V-5.2A，包括-1.1 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在-25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了典型的开启延迟时间，用于11 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如56 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为DMP2540，器件的上升时间为12 ns，器件的漏极-源极电阻为40 mOhms，Qg栅极电荷为6 nC，Pd功耗为1 W，封装为卷轴式，封装盒为U-WLB1515-9，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-4A，下降时间为42ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP25H18DLFDE-13带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMP25，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于P通道以及1个P通道晶体管类型。
DMP26M7UFG-13具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装，产品名称显示在数据表注释中，用于PowerDI，提供DMP26M等系列功能。
