9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的BUK7Y8R7-60E115，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y8R7-60E115参考价格0.34000美元。NXP USA Inc.BUK7Y8R7-60E115封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载BUK7Y8R7-60E115英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BUK7Y8R7-60E115价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BUK7Y7R8-80EX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及三重共源配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为238 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为5.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为63.3nC。
BUK7Y7R6-40EX，带有用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作11ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为7.6 mOhm，器件提供26.2 nC Qg栅极电荷，器件具有94.3 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PowerSO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为79 A，下降时间为11.3 ns，配置为单一，通道模式为增强。
带有电路图的BUK7Y7R2-60EX，包括100 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作。数据表说明中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供LFPAK-4等封装外壳功能，包装设计为在卷筒中工作，以及BUK7Y 7R2-60E115零件别名，该器件也可以用作7.2毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，该技术为Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为60V。
