9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7101DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7101DN-T1-GE3价格参考1.31000美元。Vishay Siliconix SI7101DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8。您可以下载SI7101DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7100DN-T1-E3是MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷筒包装，数据表中显示了用于SI7100DN-E3的零件别名，该SI7100DN-E3提供了SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该设备还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.8 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，下降时间为10 ns 8 ns，上升时间为57 ns 52 ns，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为26.1A，Vds漏极-源极击穿电压为8V，Rds导通漏极-电源电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为61ns 53ns，典型接通延迟时间为19ns 14ns，沟道模式为增强。
SI7100DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在8 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及SI71xxDx系列，该器件也可以用作3.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为3.8 W，该器件以SI7100DN-GE3零件别名提供，该器件有一卷包装，包装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-50 C，最高工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为26.1A，并且配置为单一。
SI7100DN，带有SI制造的电路图。SI7100D采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
