9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计和生产的BUK9M10-30EX，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BUK9M10-30EX参考价格为0.83000美元。Nexperia USA Inc.BUK9M10-30EX封装/规格：MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33。您可以下载BUK9M10-30EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BUK9K8R7-40EX，带引脚细节，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SOT-1205、8-LFPAK56等封装盒功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为2信道，该设备在LFPAK56D供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为53W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2110pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为30A，最大Id Vgs的Rds为8 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为15.7nC@5V，Pd功耗为53 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18.2 ns，上升时间为19.8 ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.66mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20.5ns，典型导通延迟时间为10.8ns，Qg栅极电荷为15.7nC，信道模式为增强。
BUK9K89-100E，115带用户指南，包括2.1V@1mA Vgs th Max Id，设计用于LFPAK56D供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如85 mOhm@5A，10V，Power Max设计为工作在38W，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SOT-1205，8-LFPAK56包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备采用表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为1108pF@25V，栅极电荷Qg-Vgs为16.8nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为12.5A。
BUK9K6R8-40EX带有电路图，包括40A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于22.2nC@5V，以及3000pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，最大功率为64W，最大Rds Id Vgs为6.1 mOhm@10A，10V，供应商设备封装为LFPAK56D，技术为Si，Vgsth最大Id为2.1V@1mA。
BUK9K89-100E，带有NXP制造的EDA/CAD模型。是FET阵列的一部分。
