9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17309Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17309第三季度参考价格为1.24000美元。德州仪器CSD17309Q3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON。您可以下载CSD17309Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17308Q3是MOSFET N-CH 30V 47A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为700pF@15V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为13A（Ta），47A（Tc），最大Id Vgs为10.3 mOhm@10A，8V，Vgs最大Id为1.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.1nC@4.5V，Pd功耗为2.7 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.3 ns，上升时间为5.7ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.3V，Rds漏极源极导通电阻为9.4mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为3.9nC，正向跨导Min为37S。
CSD17308Q3T是MOSFET 30V N沟道NexFET？功率MOSFET 8-VSON-CLIP-55至150，包括1.3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+10 V/-8 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如4.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为9.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该系列为CSD17308Q3，器件的上升时间为5.7 ns，器件的漏极-源极电阻为8.2 mOhms，Qg栅极电荷为3.9 nC，Pd功耗为28 W，封装为卷轴式，封装外壳为VSON-CLIP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为13 A，正向跨导最小值为37 S，下降时间为2.3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD17308Q3 G4带有TI制造的电路图。CSD17308Q4 G4采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
