9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMV30UN2VL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMV30UN2VL参考价格为0.08951美元。Nexperia USA Inc.PMV30UN2VL封装/规格：MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB。您可以下载PMV30UN2VL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PMV30UN2R，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供Si等技术特性，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为TO-236AB（SOT23），该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为490mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为655pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为32 mOhm@4.2A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为5.4A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为400mV，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为6.2nC，并且前向跨导Min为15.8S，信道模式为增强。
PMV30UN，215是NXP制造的MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23。PMV30UN，215可在TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23、N沟道20V 5.7A（Tc）1.9W（Tc）表面安装TO-236AB（SOT23）、Trans MOSFET N-CH20V 5.7A 3-Pin TO-236AB/R。
PMV30UN.215，带有NXP制造的电路图。PMV30UN.215采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
PMV30UN2，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PMV30UN2在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
