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PSMN022-30PL，127是MOSFET N-CH 30V TO220AB，包括管封装，它们设计用于与to-220-3封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），提供安装类型的功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-220AB，以及MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型，该器件还可以用作41W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供447pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为30A（Tc），最大Id Vgs的Rds为22mOhm@5A，10V，Vgs th最大Id为2.15V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN025-100D。PSMN025-100D采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
PSMN025-100D+118，带有NXP制造的电路图。PSMN025-100D+118在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN026-80YS，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN026-80YS采用N沟道封装，是FET的一部分-单个。
