FDS6681Z

Name: FDS6681Z
Brand: 广东友台半导体 (UMW)
SKU: 7144164-FDS6681Z
Price: 8.585734 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）最大功耗: 2.5W（Ta）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 广东友台半导体 (UMW)
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规格参数

制造厂商广东友台半导体 (UMW)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
最大功耗 2.5W（Ta）
漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 260 nC@10 V
导通电阻 Rds(ON) 4.6毫欧姆 @ 20A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7540 pF @ 15 V
种类 -
材质 -
色彩/颜色 -

FDS6681Z 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

-20安培，-30伏
RDS（开启）=4.6 mΩ@VGS=-10V
RDS（ON）=6.5 mΩ@VGS=-4.5V
适用于电池应用的扩展VGSS范围（–25V）
典型的8kV HBM ESD保护等级（注3）
用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力
终端为无铅且符合RoHS

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

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型号	制造商	描述	价格
FDS-312	乔纳德 (Jonard Tools)	FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM	¥202.43906
FDSM012P2	百通 (Belden)	FD M_D OS2 12F OFNP SU_3.	¥4.92517
FDSY006RF	百通 (Belden)	FD TO_CPE OS2 6F OFNR	¥22.09085
FDST012RF	百通 (Belden)	FD TO_PVC OS2 12F OFNR	¥23.39457
FDSY008RF	百通 (Belden)	FD OS2 TO_CPE 8F OFNR	¥24.481
FDST036RF	百通 (Belden)	FD TO_PVC OS2 36F OFNR	¥39.03923
FDSM006P2	百通 (Belden)	FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI	¥2.35438
FDSB006LB	百通 (Belden)	FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0	¥17.02082
FDST004RF	百通 (Belden)	FD TO_PVC OS2 4F OFNR	¥17.2381
FDST024RF	百通 (Belden)	FD TO_PVC OS2 24F OFNR	¥31.14447

FDS6681Z所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDS6681Z 由广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS6681Z价格参考￥8.585734，你可以下载 FDS6681Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS6681Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！