BSH205G2AR

规格参数

• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 供应商设备包装 TO-236AB
• 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
• 漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A（Ta）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V
• 导通电阻 Rds(ON) 118毫欧姆@2.6A，4.5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 421 pF @ 10 V
• 最大功耗 610mW (Ta), 10W (Tc)