9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB27NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB27NM60ND参考价格为7.14000美元。STMicroelectronics STB27NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK。您可以下载STB27NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB270N4F3是MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK，包括STripFET？III系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为330W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为7400pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为160A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2.5mOhm@80A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为150nC@10V，Pd功耗为330W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为180ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为160A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为22ns，沟道模式为增强。
STB26NM60N是MOSFET功率MOSFET N-CH 600V，包括3 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为25ns，Rds漏极-源极电阻为165mOhm，Qg栅极电荷为60nC，Pd功耗为140W，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20 A，下降时间为50 ns，配置为单一。
STB26NM60ND带有电路图，包括单组态，设计用于27.5 ns的下降时间，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于21A，提供SMD/SMT等安装方式功能，通道数设计用于1通道，以及to-252-3封装盒，该设备也可用作卷筒封装。此外，Pd功耗为190 W，器件提供54.6 nC Qg栅极电荷，器件具有145 mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为14.5 ns，系列为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为69 ns，典型的导通延迟时间为22ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为25V，Vgs第栅-源极阈值电压为4V。
