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FDS8842NZ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.9A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.61665 13.61665
10+ 12.20428 122.04287
100+ 9.80905 980.90590
500+ 8.05874 4029.37000
1000+ 7.32619 7326.19300
2500+ 7.32619 18315.48250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.05363
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.62
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 73 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3845 pF @ 15 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 14.9A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7毫欧姆 @ 14.9A, 10V

FDS8842NZ 产品详情

FDS8842NZ的设计目的是将功率转换应用中的损耗降至最低。硅和封装技术的进步结合在一起,提供了最低的rDS(开启),同时保持了优异的开关性能。

特色

  • VGS=10 V,ID=14.9 A时,最大rDS(开)=7.0 mΩ
  • VGS=4.5 V,ID=11.6 A时,最大rDS(开)=11.6 mΩ
  • HBM ESD保护等级为4.4 kV(注3)
  • 用于极低rDS(开启)和快速切换的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力
  • 终端为无铅且符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 笔记本电脑Vcore和服务器的同步降压
  • 笔记本电池组
  • 负载开关
FDS8842NZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDS8842NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8842NZ价格参考¥9.053625,你可以下载 FDS8842NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8842NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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