9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL260N4F7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL260N4F7价格参考2.31000美元。STMicroelectronics STL260N4F7封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT。您可以下载STL260N4F7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL260N3LLH6带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为166 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为54 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为260 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅-源极阈值电压为1 V，Rds漏极-源极电阻为1.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为107.5ns，典型接通延迟时间为22.5ns，Qg栅极电荷为61.5nC，沟道模式为增强。
STL-250-8-01是TWIST-LOK STANDOFF 1/2 X.75“，包括支架类型属性，它们设计用于夹持、扭锁类型，系列如数据表注释所示，用于TWIST-LOK，提供面板孔尺寸功能，如0.187”（4.75mm），包装设计用于散装，以及0.201”~0.301”（5.11mm~7.65mm）开口尺寸，该设备也可以用作箭头、翼式安装型。此外，材料可燃性等级为UL94 V-2，该装置采用聚酰胺（PA66）、尼龙6/6材料，装置高度为1.252英寸（31.80mm），颜色为自然色。
STL25N15F3是由ST制造的MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT。STL25N1 5F3采用8-PowerVDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH150V 6A Power FLAT、N沟道150V 25A（Tc）80W（Tc）表面安装POWERFLAT？（6x5），Trans MOSFET N-CH 150V 25A 8引脚电源扁平T/R。
STL25N60M2-EP是“由ST制造的MOSFET N沟道600 V”。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N信道600 V、N沟道600V 16A（Tc）125W（Tc）表面安装PowerFlat”？（8x8）高压，跨接MOSFET N-CH 600V 16A 4针电源扁平EP T/R，MOSFET N沟道600 V，典型值0.184欧姆。，PowerFLAT 8x8 HV封装中的16 A MDmesh M2 EP功率MOSFET。
