9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的SI2318A-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2318A-TP参考价格为0.43000美元。Micro Commercial Co SI2318A-TP封装/规格：MOSFET N-CH SOT23-3。您可以下载SI2318A-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI2316BDS-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2316BD-GE3的零件别名，该SI2316BDS-GE3提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.66W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为350pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为50 mOhm@3.9A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9.6nC@10V，Pd功耗为1.25 W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为11 ns 65 ns，上升时间为11 ns65 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为50 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是12ns 11ns，并且典型接通延迟时间是4.5ns 20ns，并且沟道模式是增强。
Si2316DS-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3，包括800mV@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为9 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），系列为TrenchFETR，上升时间为9 ns，Rds On Max Id Vgs为50 mOhm@3.4A，10V，Rds On Drain Source Resistance为50 m欧姆，Power Max为700mW，Pd功耗为700 mW，零件别名为SI2316DS-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150℃，输入电容Cis-Vds为215pF@15V，Id连续漏极电流为2.9 A，栅极电荷Qg-Vgs为7nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为9 ns，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.9A（Ta），并且配置为单一，信道模式为增强。
SI2316DS-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3，包括单一配置，它们设计为以2.9 a Id连续漏电流工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作SOT-23-3包装箱。此外，包装为Reel，该器件以SI2316DS-GE3零件别名提供，该器件具有700 mW的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为50 mOhms，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.050717 oz，Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SI2316-DS，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI2316-DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单体。
