9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2109UVT-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2109UVT-13参考价格为0.09618美元。Diodes Incorporated DMP2109UVT-13封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26。您可以下载DMP2109UVT-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2069UFY4-7是MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN，包括DMP2069系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如X2-DFN2015-3，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供530 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为423.8 ns，上升时间为155.1 ns，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds导通漏极-源极电阻为90m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为688.1ns，典型接通延迟时间为80.4ns，Qg栅极电荷为9.1nC。
DMP2066UFDE-7是MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN，包括-1.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供晶体管类型功能，如1 P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作DMP2066系列。此外，Rds漏极-源极电阻为75 mOhm，器件提供14.4 nC Qg栅极电荷，器件具有0.66 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为U-DFN2020-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.2 A，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP2070UCB6-7是MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6，包括2.5A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于U-WLB1015-6的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为工作在150 mOhms，以及DMP2070系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件提供20 V Vds漏极-源极击穿电压。
