NTBLS1D7N08H
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Ta）、203A（Tc） 最大功耗: 3.5W (Ta), 167W (Tc) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 47.22370 | 47.22370 |
| 10+ | 42.40718 | 424.07180 |
| 100+ | 34.74491 | 3474.49160 |
| 500+ | 29.57754 | 14788.77050 |
| 1000+ | 28.34653 | 28346.53800 |
| 2000+ | 28.34653 | 56693.07600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥47.22371
-
数量:
- +
- 总计: ¥47.22
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 包装/外壳 8-PowerSFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 121 nC@10 V
- 供应商设备包装 8-HPSOF
- 导通电阻 Rds(ON) 1.7毫欧姆@80A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 479A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7675 pF @ 40 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 29A（Ta）、203A（Tc）
- 最大功耗 3.5W (Ta), 167W (Tc)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NTBLS1D7N08H所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTBLS1D7N08H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTBLS1D7N08H价格参考￥47.223708，你可以下载 NTBLS1D7N08H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTBLS1D7N08H规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
