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IRFL110PBF是MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223，包括管封装，它们设计为以0.008826盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-223-3，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单双漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.4 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6.9ns，沟道模式为增强。
IRFL110NTRPBF，带有IRF制造的用户指南。IRFL110NTRPBF在SOT223封装中提供，是IC芯片的一部分。
IRFL110TR是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223。IRFL110TRTO-261-4，TO-261AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 1.5B SOT223、N沟道100V 1.5C（Ta）2W（Ta）、3.1W（Tc）表面安装SOT-223、Trans-MOSFET N-CH 100 V 1.5A 4引脚（3+Tab）SOT-223 T/R。
