特色
- 高温能力达到+220°C
- 表面可安装
- 密封玻璃包装
- 低成本
- 优异的长期稳定性
- 非标准电阻值和公差
- 在指定温度下匹配的点
- 胶带和卷轴包装
- 热时间常数：最大5秒
- 耗散常数：1 mW/°C
MMIX1F520N075T2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500A (Tc) 最大功耗: 830W (Tc) 供应商设备包装: 24-SMPD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 172.45344 | 172.45344 |
| 10+ | 159.05408 | 1590.54084 |
| 100+ | 135.82103 | 13582.10340 |
| 500+ | 123.31124 | 61655.62100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥172.45345
-
数量:
- +
- 总计: ¥172.45
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电压标 (Vdss) 75 V
- 最大功耗 830W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 8毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 1.6毫欧姆@100A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 545 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 41000 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 24-SMPD
- 包装/外壳 24条PowerSMD，21条线索
- 漏源电流 (Id) @ 温度 500A (Tc)
MMIX1F520N075T2 产品详情
N沟道功率MOSFET，IXYS HiperFET™ 千兆MOS™ 系列
MMIX1F520N075T2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMICT5919-00-012 | 应美盛 (TDK InvenSense) | MIC MEMS DIG PDM -41DB 3.5X2.65 | ¥14.70309 |
 | MMICT390200012 | 应美盛 (TDK InvenSense) | PDM DIGITAL OUTPUT MEMS MICROPHO | ¥7.67747 |
 | MMICT4078-00-908 | 应美盛 (TDK InvenSense) | MICROPHONE MEMS ANALOG -38DB | ¥9.92277 |
 | MMICT3904 | 应美盛 (TDK InvenSense) | MICROPHONE MEMS DIGITAL PDM OMNI | ¥19.716 |
 | MMICT4076-00-908 | 应美盛 (TDK InvenSense) | MICROPHONE MEMS ANALOG -38DB | ¥6.88076 |
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| MMICT5848-00-012 | BOTTOM PORT I2S DIGITAL OUTPUT M | ¥0.00 | |
| MMICT5837-00-012 | MIC MEMS DIGITAL PDM OMNI -36DB | ¥0.00 | |
| MMICT5838-00-012 | MIC MEMS DIGITAL PDM OMNI -41DB | ¥0.00 | |
| MMIC271609T4064C0300 | MICROPHONE MEMS ANALOG -38DB | ¥0.00 |
MMIX1F520N075T2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，MMIX1F520N075T2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMIX1F520N075T2价格参考￥172.453449，你可以下载 MMIX1F520N075T2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMIX1F520N075T2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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