9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQM60N06-15_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQM60N06-15_GE3价格参考2.75000美元。Vishay Siliconix SQM60N06-15_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 56A TO263。您可以下载SQM60N06-15_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQM50P08-25L-GE3，带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，信道数量设计用于1信道以及1 P信道晶体管类型，其最大工作温度范围为+175 C。此外，Vds漏极-源极击穿电压为-80 V，该器件以P沟道晶体管极性提供。
SQM50P6-15L-GE3，带有用户指南，包括-60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供TrenchFET等商品名功能，技术设计用于Si，以及SQ系列，该设备也可以用作1信道数信道，其最大工作温度范围为+175 C。
带有电路图的SQM50P08-25L_GE3，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷盘封装，数据表中显示了用于SQ系列的系列，该系列提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-80 V Vds漏极-源极击穿电压。
SQM-5W150R0K，带有MQEC制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
