9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP12N60M2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP12N60M2价格参考1.66000美元。STMicroelectronics STP12N60M2封装/规格：MOSFET N-CH 600V 9A TO220。您可以下载STP12N60M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP12N50M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置是单一的，该器件提供85 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为34.5 ns，上升时间为10.5 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为13.5ns，Qg栅极电荷为15nC，沟道模式为增强。
stp12n120k5是MOSFET N-CH 1200V 12A TO220，包括5V@100μA Vgs th Max Id，它们设计用于0.011640 oz单位重量的操作。数据表中显示了用于Si的技术，该Si提供了供应商设备包功能，如to-220，系列设计用于MDmesh？K5，以及690 mOhm@6A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件也可以用作250W最大功率。此外，封装为管，该器件采用TO-220-3封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），安装类型为通孔，输入电容Ciss Vds为1370pF@100V，栅极电荷Qg Vgs为44.2nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc）。
STP12IE90F4是TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4，包括栅极驱动器应用程序，它们设计为在12A额定电流下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-4全封装等封装外壳功能，封装设计为在管内工作，以及ESBTR系列，该设备也可以用作TO-220FP供应商设备包。此外，晶体管类型为NPN发射极开关双极型，该器件的额定电压为900V。
STP12IE95F4是由ST制造的BOARD EVAL STP12EE95F4。STP12EI95F4可在TO220F-4封装中获得，是评估板-DC/DC和AC/DC（离线）SMPS的一部分，并支持BOARD EVAL STP12E95F4。
