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HDTMOS电子设备™ 功率场效应晶体管
用于表面安装的DPAK
N沟道增强型硅栅
这种先进的高单元密度HDTMOS E–FET设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和PWM电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适用于桥式电路和感应负载。雪崩能量能力被指定为消除感应负载被切换的设计中的猜测工作，并提供针对意外电压瞬变的额外安全裕度。
•指定雪崩能量
•源极至漏极二极管恢复时间与离散快速恢复二极管相当
•二极管用于桥式电路
•高温下规定的IDSS和VDS（开启）
•表面贴装包装有16 mm、13英寸/2500单位胶带和卷筒，在零件号中添加T4后缀
•可用于插入安装，在零件号中添加–1或1
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MTD5052N | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 525nm 光谱范围: 410nm ~ 580nm 可视角度: 24° 工作温度: -20摄氏度~85摄氏度 | ¥27.86055 |
 | MTD1200M3B | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 925nm 光谱范围: 400nm ~ 1100nm 可视角度: 130° 响应时长: 2.s 工作温度: -20摄氏度~85摄氏度 | ¥14.65912 |
 | MTD3910W | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 940纳米 光谱范围: 400nm ~ 1060nm 包装/外壳: TO-18-2金属罐 工作温度: -30摄氏度~100摄氏度 | ¥17.49823 |
 | MTD3010PM | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 900nm 光谱范围: 400nm ~ 1100nm 可视角度: 120° 工作温度: -30摄氏度~100摄氏度 | ¥1,369.3365 |
 | MTD3010N | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 900nm 光谱范围: 400nm ~ 1100nm 可视角度: 16° 工作温度: -30摄氏度~100摄氏度 | ¥59.75393 |
 | MTD5052W | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 525nm 光谱范围: 410nm ~ 580nm 可视角度: 110° 工作温度: -20摄氏度~85摄氏度 | ¥27.86055 |
 | MTD3610D3 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 940纳米 光谱范围: 400nm ~ 1060nm 工作温度: -20摄氏度~85摄氏度 | ¥142.22673 |
 | MTD3910N | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 900nm 光谱范围: 400nm ~ 1060nm 包装/外壳: TO-18-2金属罐 工作温度: -30摄氏度~100摄氏度 | ¥46.06484 |
 | MTD3910PM | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 900nm 光谱范围: 400nm ~ 1100nm 包装/外壳: TO-18-2金属罐 工作温度: -30摄氏度~100摄氏度 | ¥38.53223 |
| MTD3910FC | 马克泰克 (Marktech) | PHOTODIODE | ¥180.41972 |
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