SI1330EDL-T1-GE3

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
• 包装/外壳 SC-70，SOT-323
• 供应商设备包装 SC-70-3
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 240毫安（Ta）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 3V、10V
• 导通电阻 Rds(ON) 2.5欧姆@250毫安，10V
• 最大功耗 280毫瓦（Ta）