9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF820ASPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF820ASPBF参考价格为1.76000美元。Vishay Siliconix IRF820ASPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK。您可以下载IRF820ASPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF820APBF是MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB，包括IRF/SIHF820系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有50W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为8.1ns，沟道模式为增强型。
IRF820是MOSFET N-CH 500V 4A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IRF/SIHF820系列，该器件的上升时间为8.6 ns，漏极电阻Rds为3欧姆，Pd功耗为50 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.5A，下降时间为16ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF820ALPBF是MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了13 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如2.5 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用I2PAK-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为50W，Rds漏极-源极电阻为3欧姆，上升时间为12ns，系列为IRF/SIHF820，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为8.1ns，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IRF820A是由IR/VISHAY制造的MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB。IRF820A采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB、N通道500V 2.5A（Tc）50W（Tc）通孔TO-220AA。
