
G3R20MT17K
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A(Tc) 最大功耗: 809W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 823.08315 | 823.08315 |
10+ | 792.59779 | 7925.97790 |
- 库存: 0
- 单价: ¥694.23197
-
数量:
- +
- 总计: ¥823.08
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
- 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
- 供应商设备包装 TO-247-4
- 包装/外壳 至247-4
- 漏源电流 (Id) @ 温度 124A(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 26毫欧姆@75A,15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@15毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 400 nC @ 15 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10187 pF@1000 V
- 最大功耗 809W (Tc)
G3R20MT17K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),G3R20MT17K 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G3R20MT17K价格参考¥694.231965,你可以下载 G3R20MT17K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G3R20MT17K规格参数、现货库存、封装信息等信息!
基因半导体公司 (GeneSiC)

GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者,同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。