Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
特色
•根据IEC 61249-2-21定义,无卤素
•表面安装
•提供磁带和卷轴
•动态dV/dt额定值
•重复雪崩等级
•175°C工作温度
•快速切换
•易于并行
•符合RoHS指令2002/95/EC
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.10964 | 13.10964 |
10+ | 11.79868 | 117.98684 |
100+ | 9.48602 | 948.60260 |
500+ | 7.79394 | 3896.97000 |
1000+ | 6.68048 | 6680.48900 |
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Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
•根据IEC 61249-2-21定义,无卤素
•表面安装
•提供磁带和卷轴
•动态dV/dt额定值
•重复雪崩等级
•175°C工作温度
•快速切换
•易于并行
•符合RoHS指令2002/95/EC
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...