LP0701LG-G

规格参数

• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
• 制造厂商 微芯 (Microchip)
• 场效应管类型 P-通道
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2V、5V
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
• 供应商设备包装 8-SOIC
• 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
• 最大功耗 1.5W（Tc）
• 漏源电压标 (Vdss) 16.5伏
• 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@300毫安，5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 250 pF@15 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 700毫安 (Tj)
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1毫安时为1V