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SSM3J15FV,L3F

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: VESM 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.81072 1.81072
10+ 1.45582 14.55823
100+ 0.77209 77.20930
500+ 0.50787 253.93600
1000+ 0.34534 345.34100
2000+ 0.31151 623.03400
8000+ 0.27088 2167.07200
16000+ 0.23025 3684.03200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.81073
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.81
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安(Ta)
  • 最大功耗 150mW(Ta)
  • 包装/外壳 SOT-723
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4伏
  • 供应商设备包装 VESM
  • 导通电阻 Rds(ON) 12欧姆@10毫安,4V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.7V@100A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9.1 pF @ 3 V

SSM3J15FV,L3F 产品详情

SSM3J15FV,L3F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3J15FV,L3F 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3J15FV,L3F价格参考¥1.810725,你可以下载 SSM3J15FV,L3F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3J15FV,L3F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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